半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182091
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082287
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】本発明は、内部で自動的にバンクインターリーブ動作を行うことにより、複数のメモリセルブロックを選択的に活性化でき、更にそのメモリブロック内に記憶されているデータの読出し速度の高速化を実現可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも2つのメモリセルブロックを有する半導体記憶装置において、設定されたバースト長に基づいて、バースト長情報を生成するバースト長情報生成回路と、バースト長が所定値以下の時に単一のメモリセルブロックを選択的に活性化し、所定値より長い値の時にバースト長に応じた複数のメモリセルブロックを活性化するブロック活性化回路とを有し、前記活性化された単一または複数のメモリセルブロックからデータが読み出されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つのメモリセルブロックを有する半導体記憶装置において、設定されたバースト長に基づいて、バースト長情報を生成するバースト長情報生成回路と、バースト長が所定値以下の時に単一のメモリセルブロックを選択的に活性化し、所定値より長い値の時にバースト長に応じた複数のメモリセルブロックを活性化するブロック活性化回路とを有し、前記活性化された単一または複数のメモリセルブロックからデータが読み出されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 362 H

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体記憶装置及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346672 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-193394
クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-085489 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (4件)

半導体記憶装置及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-346672 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-193394
特開平2-193394

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