特許

J-GLOBAL ID：200903099515699262

半導体基板から残留物を除去する方法

発明者： エム リー ラヴ ジュニア ,  ホンダ ケンジ
出願人/特許権者： アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中林 幹雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-512694
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517863
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2001年10月09日
要約：

【要約】フォトレジストを表面にコーティングした基板を処理する方法であって、(a)フォトレジスト-ストリッピング、プラズマエッチング残留物クリーニング、またはこれらの組み合わせからなる群から選択される方法によって前記フォトレジストを前記基板から除去し;(b)前記基板を、(1)水;および(2)実質的にヒドロキシルアミンと、少なくも1種類のヒドロキシルアンモニウム塩と、少なくも1種類の水溶性有機酸と、少なくも1種類のアミノ酸と、これらの組み合わせとからなる群から選択される1種類以上の水溶性腐食インヒビタを含む非腐食性リンス組成物ですすぐ諸段階を含んでなる方法。

請求項（抜粋）：

残留物を担持する基板から前記残留物を除去する方法であって、前記残留物はフォトレジスト残留物、ポスト-エッチ残留物、リムーバー溶液残留物およびこれらの組み合わせを含み、前記残留物担持基板を、水と、実質的にヒドロキシルアミン、少なくも1種類のヒドロキシアンモニウム塩、少なくも1種類の水溶性有機酸、少なくも1種類のアミノ酸およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくも1種類の水溶性腐食インヒビタの有効腐食阻止量とを含んでなるリンス溶液で処理することを含んでなる方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/00 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32

FI (4件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/00 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32

Fターム (10件)：

4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EA08 ,  4H003EA12 ,  4H003EA19 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB13 ,  4H003ED02 ,  4H003FA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193940   出願人：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272367   出願人：三洋電機株式会社
• レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-224895   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
• 非腐食性フォトレジスト剥離用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-090427   出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド