特許
J-GLOBAL ID：200903099534426951
微細パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193401
公開番号（公開出願番号）：特開平8-062848
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 化学増幅型レジストを用いて微細パターンを形成するに際し、化学増幅型レジストの酸を失活させ易い基板上、あるいは塩基性物質が存在する基板上でも、レジストの剥がれ、あるいは形状不良などを生じることなく、面内における線幅変動が小さいレジストパターンを得ることができる微細パターンの形成方法を提供すること。【構成】 化学増幅型レジスト2を用いて、基板1上に微細パターンを形成する方法において、下地基板1と化学増幅型レジスト2との間に、化学増幅型レジストの酸を失活させず、しかも光学的に吸収性の高い反射防止膜を介在させる。化学増幅型レジストの酸を失活させず、しかも光学的に吸収性の高い反射防止膜としては、SiOx Ny :(H)膜あるいはSix Ny :(H)膜がある。化学増幅型レジストの酸を失活させ易い基板1としては、TiN、TiONが少なくとも表面に形成された基板がある。塩基性物質が存在する基板1としては、NH3 添加TEOS膜が成膜された基板がある。
請求項（抜粋）：
化学増幅型レジストを用いて、基板上に微細パターンを形成する方法において、前記基板と化学増幅型レジストとの間に、化学増幅型レジストの酸を失活させず、しかも光学的に吸収性の高い反射防止膜を介在させることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
H01L 21/30 502 Z
, H01L 21/30 574
