発光素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-125226
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329468
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：

【課題】高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なシリコン系発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子30は、酸化ケイ素(SiOx,0.5<x<1.5)とエルビウム(Er)を含む発光層12の両側に、p型透明導電膜51およびn型透明導電膜52が設けられた構造を有している。エルビウム原子が光学的に活性化することで、特に波長1.5μm付近の発光強度が増加する。p型透明導電膜51およびn型透明導電膜52は発光層12よりもバンドギャップが大きい材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型シリコン系発光素子の実現を可能とする。これにより、集積回路内への発光素子の実装が容易となる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：