特許

J-GLOBAL ID：200903099564553478

磁気記憶装置

発明者： 玉野井 健
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121010
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277621
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：

【課題】比較的簡素な構成で一対の電流配線を要することなく効率良く確実な磁化反転を可能とし、装置の更なる微小化を可能とする信頼性の高い磁気記憶装置を実現する。【解決手段】少なくとも磁化反転層4の両側面、ここでは絶縁層3、磁化反転層4及びキャリア注入層5からなる積層体の両側面に、絶縁層6及び非磁性金属層、ここではRu層7を介して、一対の磁化制御層8を設ける。キャリア注入層5は、SrTiO3から、磁化制御層8はGdFeCo,GdDyFeCo,GdNdFeCo等の希土類遷移金属合金から形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定されている固定磁化層と、前記固定磁化層の磁化方向に対して平行又は反平行に磁化方向が反転される磁化反転層とが、絶縁層を介して積層されており、 前記固定磁化層上に、当該固定磁化層にキャリア電子を与えるキャリア注入層と、 前記磁化反転層の磁化方向を前記反平行とする際に、前記磁化反転層に前記反平行の磁場を印加する磁化制御層と を含むことを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (27件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC07 ,  4M119DD02 ,  4M119DD06 ,  4M119DD33 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119GG02 ,  5F092AA12 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092AD30 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB90 ,  5F092BC43

引用特許：

出願人引用 (3件)

• スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-349262   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 量子サイズ効果を用いたスピン注入磁化反転磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172473   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 誘電率変化方法、その方法を利用した光可変容量コンデンサ、紫外線センサ及び磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-247809   出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー