特許
J-GLOBAL ID：200903099570892659

半導体装置

発明者：
渡辺 邦雄

渡辺 邦雄 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278627
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086687
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板を有効に利用し、レイアウト設計の自由度をより高くすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置は、エネルギービームの照射によって溶断可能な複数のヒューズ26が形成された層を有するヒューズ部100と、ヒューズ部100に形成された回路配線層200と、を有する。回路配線層200は、ヒューズ26が形成された層より下の層に配置され、かつ、ヒューズ26と接続されていない配線層からなる。
請求項（抜粋）：
エネルギービームの照射によって溶断可能な複数のヒューズが形成された層を有するヒューズ部と、前記ヒューズ部に形成された回路配線層と、を含み、前記回路配線層は、前記ヒューズが形成された層より下の層に配置され、かつ、前記ヒューズと接続されていない、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/82 ,  G11C 29/00 603 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (6件)：
G11C 29/00 603 J ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 W ,  H01L 27/04 V ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 21/88 S
Fターム (32件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033UU04 ,  5F033VV01 ,  5F033VV11 ,  5F033XX36 ,  5F038AV03 ,  5F038AV15 ,  5F038BH10 ,  5F038CA18 ,  5F038CD20 ,  5F038DF03 ,  5F038DF05 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB12 ,  5F064BB14 ,  5F064EE23 ,  5F064EE32 ,  5F064EE33 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF42 ,  5L106CC04 ,  5L106CC12 ,  5L106GG06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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