研磨パッド

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252832
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075933
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッドにおいて、ウエハ全面内において研磨量の均一性と、微小領域での凹凸平坦化特性という相反する要求に応え、なおかつスクラッチの発生の少ない半導体ウエハ研磨用パッドを提供する。【解決手段】表面にパターンが形成され、微細な凹凸がある半導体ウエハを研磨するのに用いる研磨パッドにおいて、該パッドの研磨層1である最表面層は多孔質弾性樹脂層であり、該多孔質弾性樹脂層に隣接して多孔質弾性樹脂層よりも弾性率が大きい樹脂層(第2層)2があり、更に第2層の多孔質弾性樹脂層とは反対側に前記第2層よりは十分に柔らかい層(第3層)3を積層した構成を特徴とする半導体ウエハ研磨用パッド。

請求項（抜粋）：

表面にパターンが形成され、微細な凹凸がある半導体ウエハを研磨するのに用いる研磨パッドにおいて、該パッドの研磨層である最表面層は多孔質弾性樹脂層であり、該多孔質弾性樹脂層に隣接して多孔質弾性樹脂層よりも弾性率が大きい樹脂層(第2層)があり、更に第2層の多孔質弾性樹脂層とは反対側に前記第2層よりは弾性率の低い層(第3層)を積層した構成を特徴とする半導体ウエハ研磨用パッド。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00

FI (2件)：

H01L 21/304 622 F , B24B 37/00 C

Fターム (6件)：

3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058CB10 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-259411 出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 三益半導体工業株式会社
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-226759 出願人：九州日本電気株式会社
研磨パッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-025752 出願人：東レ株式会社

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