酸化物薄膜の製造方法、メモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びにこれらの製造方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲葉良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343439
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158607
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】容易に微結晶を得ることができる酸化物薄膜の製造方法を提供すること、これを利用したメモリ素子の製造方法及び圧電体素子の製造方法を提供すること、並びにこれらの方法により製造される酸化物薄膜、メモリ素子及び圧電体素子を提供すること。【解決手段】酸化物を形成し得る金属元素を含む有機金属化合物の溶液を出発原料とし、該溶液を基板上に塗布して乾燥した後、仮焼成を行い、次いで本焼成を行うことにより酸化物薄膜を成膜するに際し、前記仮焼成を、前記有機金属化合物に対して不活性である雰囲気下で行う。前記不活性である雰囲気としては、窒素雰囲気が特に好適である。前記酸化物薄膜の製造方法を用いてメモリ素子の形成を行う。前記酸化物薄膜の製造方法を用いて圧電体素子の形成を行う。

請求項（抜粋）：

酸化物を形成し得る金属元素を含む有機金属化合物の溶液を出発原料とし、該溶液を基板上に塗布して乾燥した後、仮焼成を行い、次いで本焼成を行うことにより酸化物薄膜を成膜するに際し、前記仮焼成を、前記有機金属化合物に対して不活性である雰囲気下で行うことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (9件)：

C01B 13/32 , C01G 25/00 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 41/09 , H01L 41/24 , H01L 41/22

FI (7件)：

C01B 13/32 , C01G 25/00 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371 , H01L 41/08 U , H01L 41/22 A , H01L 41/22 Z

Fターム (24件)：

4G042DA02 , 4G042DB11 , 4G042DB12 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DE08 , 4G042DE09 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC01 , 4G048AD02 , 4G048AE08 , 5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AG01 , 5F001AG30 , 5F083FR06 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BH01 , 5F101BH16

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-170304
特開平4-042812
強誘電体ゲートメモリ、これに用いる強誘電体薄膜の形成方法およびこの形成方法に用いる前駆体溶液
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-013047 出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社豊島製作所

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