特許
J-GLOBAL ID：200903099608083113
面発光半導体レーザおよびその製造方法および光送信モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-314084
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085876
出願日： 2003年09月05日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 エアギャップ狭窄構造をもつ垂直共振器型面発光半導体レーザであって、多層膜反射鏡側面の凹凸を抑制する。【解決手段】 基板101上に、積層構造として、活性層104を含む共振器領域と、共振器領域の上下に形成された多層膜反射鏡102,107とを有する垂直共振器型面発光半導体レーザであって、積層構造の少なくとも一部がメサ形状に形成されたメサ部となっており、メサ部に設けられているエッチング層106をメサ側面からサイドエッチングした電流狭窄構造を備えており、メサ部における多層膜反射鏡102,107はAlを含む層を有しており、前記Alを含む層のメサ側面における構成元素の一部が置換されて保護層が形成されており、保護層の幅はサイドエッチングの幅よりも狭いことを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、積層構造として、活性層を含む共振器領域と、共振器領域の上下に形成された多層膜反射鏡とを有する垂直共振器型面発光半導体レーザであって、積層構造の少なくとも一部がメサ形状に形成されたメサ部となっており、メサ部に設けられているエッチング層をメサ側面からサイドエッチングした電流狭窄構造を備えており、メサ部における多層膜反射鏡はAlを含む層を有しており、前記Alを含む層のメサ側面における構成元素の一部が置換されて保護層が形成されており、保護層の幅はサイドエッチングの幅よりも狭いことを特徴とする面発光半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA65
, 5F073AB19
, 5F073CA05
, 5F073CB19
