特許
J-GLOBAL ID：200903099633938778
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140660
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335210
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の微細化が進む中でリソグラフィ工程におけて露光を行う際、露光条件である露光量と焦点位置の条件決定方法や確認方法に高い精度を要求されている。特に半導体装置の実パターンでの条件決定や確認は、詳細部分の検証が難しい。【解決手段】半導体装置の一部に露光条件である露光量や焦点位置を確認するための指標をおき、前記指標では、露光量や焦点位置を簡単に判断できる形状を元に露光量や焦点位置の決定や確認を行う。【効果】指標により露光条件である露光量や焦点位置が高い精度で決定でき、また、作業者による差もなくなり、半導体装置の歩留まり、性能向上の効果を有する。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造のリソグラフィ工程において、所望のレジストパターン形成行う際、前記半導体装置の主要部分の膜構成と同様の構造をもつ領域を形成し、前記領域において前記レジストパターンの寸法又は形状の形成条件の確認可能な指標を少なくとも1つ形成することを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/30 514 F
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 526 Z
