多層配線形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-337719
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142578
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】配線間に均一な中空構造を備えた多層配線構造を、簡易に作製する。【解決手段】感光性と熱硬化性を有する感光性樹脂膜110が形成されたシートフィルム(転写基材)111を用意し、この、感光性樹脂膜110が形成された面を、第1配線層108と接続部109が形成された基板101に貼り合わせることで、接続部109が埋め込まれ、かつ、第1配線層108の配線間に中空部が形成された状態に、感光性樹脂膜110を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、前記第1の金属膜上に所定の方向に延在する溝状の複数の開口領域を備えた第1のマスクパターンを形成する工程と、前記第1のマスクパターンの開口領域底部に露出した前記第1の金属膜表面にメッキ法により第1の金属パターンを形成する工程と、前記第1のマスクパターンを除去した後、前記第1の金属パターン上に柱状の開口領域を備えた第2のマスクパターンを形成する工程と、前記第2のマスクパターンの前記柱状の開口領域底部に露出した前記第1の金属パターン表面にメッキ法により第2の金属パターンを形成する工程と、前記第2のマスクパターンを除去した後、前記第1の金属パターンをマスクとして、前記第1の金属膜をエッチング除去し、前記第1の金属膜および前記第1の金属パターンからなる第1の配線層を形成する工程と、前記第2の金属パターンからなる接続部を形成する工程と、表面に樹脂膜が形成された転写基材の前記樹脂膜形成面を前記半導体基板の主面側に当接し、これらを所定の温度に加熱するとともに所定の力で押しつけて前記樹脂膜を前記半導体基板上に転写し、前記転写基材を前記樹脂膜より離間することで、前記接続部が埋め込まれ、かつ、前記第1の配線層の配線間に中空部が形成された状態に、前記樹脂膜を前記第1の配線層上に形成する転写工程と、前記接続部が前記樹脂膜を貫通して前記接続部上面が前記樹脂膜表面に露出した状態とする工程と、前記樹脂膜を熱硬化させて第2の層間絶縁膜とする工程と、前記第2の層間絶縁膜上に、一部が前記接続部に接続する第2の配線層を形成する工程とを備えたことを特徴とする多層配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/90 N , H01L 21/90 A , H01L 21/90 P , H01L 21/88 M , H01L 21/306 F

Fターム (41件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ13 , 5F033JJ18 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK18 , 5F033MM05 , 5F033NN19 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ19 , 5F033QQ27 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS00 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033XX01 , 5F033XX25 , 5F033XX33 , 5F043AA27 , 5F043BB17 , 5F043BB18 , 5F043GG02

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029424 出願人：松下電子工業株式会社
特開平2-265243
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-059125 出願人：日本電信電話株式会社

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