半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216245
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電気的に良好な微細なコンタクトの形成を可能にした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に下層配線102を形成する工程と、前記下層配線102上に層間膜103を形成する工程と、上層配線104を形成する工程と、前記上層配線104上に第1の絶縁膜105を形成する工程と、前記第1の絶縁膜105上に層間膜106を形成する工程と、隣接した前記上層配線104、104間の下側の前記下層配線102上部に形成され、前記第1の絶縁膜105に達するコンタクトホール110を開口する工程と、前記半導体基板上に第2の絶縁膜108を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記第2の絶縁膜108と前記第1の絶縁膜105とを順次連続的にエッチバックして前記下層配線102に達するコンタクトホール109を開口する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に選択的に形成される下層配線と、この下層配線上の層間膜上に形成した上層配線と、隣接した前記上層配線間に形成したコンタクトが前記下層配線に接続するようにした半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に前記下層配線を形成する工程と、前記下層配線上に層間膜を形成する工程と、前記上層配線を形成する工程と、前記上層配線上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に層間膜を形成する工程と、隣接した前記上層配線間の下側の前記下層配線上部に形成され、前記第1の絶縁膜に達するコンタクトホールを開口する工程と、前記半導体基板上に第2の絶縁膜を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜とを順次連続的にエッチバックして前記下層配線に達するコンタクトを開口する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/28 L , H01L 21/28 301 T , H01L 21/90 D , H01L 29/78 301 Y

Fターム (48件)：

4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD06 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104HH14 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL04 , 5F033NN40 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT02 , 5F033TT07 , 5F033TT08 , 5F033XX15 , 5F040DA14 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC12 , 5F040EC13 , 5F040EH08 , 5F040FA03 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FC19 , 5F040FC22

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-100237 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置のコンタクトホール形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-196801 出願人：三星電子株式会社
多層配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-187675 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る