特許
J-GLOBAL ID：200903099704772230

化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法

発明者：
ロバート・アーミテイジ

ロバート・アーミテイジ について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-287123
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108757
出願日： 2006年10月23日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。【解決手段】先ず、図1(a)で示すように、Si基板1上にカタリスト材料層となるNi薄膜2を蒸着する。次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO2薄膜3を蒸着し、ナノコラム5を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でNi薄膜2が露出するまで貫通孔4を穿設しておく。したがって、図1(c)で示すようにGaNナノコラム5が成長すると、SiO2をナノコラム5間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にナノスケールの柱状結晶構造体を有する化合物半導体素子において、 前記柱状結晶構造体は、カタリスト材料層と、該カタリスト材料層に取込まれて成長することによって該カタリスト材料層下に形成された半導体材料層とを備えて構成され、 前記柱状結晶構造体の周囲に、該柱状結晶構造体の成長前に形成され、該柱状結晶構造体を埋設するための貫通孔が穿設された絶縁膜をさらに備えることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 D
Fターム (18件)：
5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB11 ,  5F041CB23 ,  5F041CB29 ,  5F041CB36 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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