ナノロッドを利用した窒化物系半導体素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三好秀和 , 伊藤正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-238359
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128627
出願日： 2005年08月19日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】シリコン基板上に形成された良質のGaN層を含む窒化物系半導体素子及びその製造方法を開示する。【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子によると、シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたGaN層を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に垂直方向に整列されるよう形成された多数のナノロッドと、上記ナノロッドの上端一部が突出するよう上記ナノロッド同士の空間を充填する非晶質のマトリックス層と、上記マトリックス層上に形成されたGaN層とを含む窒化物系半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L21/205

Fターム (18件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA25 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA11 , 5F045DA51 , 5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-365725 出願人：豊田合成株式会社
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-206301 出願人：三洋電機株式会社
窒化物系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-117613 出願人：坂井田敏昭

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