特許

J-GLOBAL ID：200903099712012899

半導体装置及びその製造方法

発明者： 橋本 隆介
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305336
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145276
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 BPSG膜におけるクラックの発生を防止し、素子の歩留りが改善されるSOI基板の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1のシリコン基板1上に第1の絶縁膜2が形成され、その第1の絶縁膜2上に素子領域6となる単結晶シリコン層3が形成され、当該単結晶シリコン層3の間が、ボロンリンガラス(BPSG膜)膜9で埋め込まれた構造を有しており、且つ該単結晶シリコン膜6の側面にのみ窒化膜8が形成されている半導体装置50。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に第1の絶縁膜が形成され、その第1の絶縁膜上に素子領域となる単結晶シリコン層が形成され、当該単結晶シリコン層の間が、ボロンリンガラス(BPSG膜)膜で埋め込まれた構造を有しており、且つ該単結晶シリコン膜の側面にのみ窒化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-075130   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-291558   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-061837   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭60-060734