特許
J-GLOBAL ID:200903099823300583

窒化ケイ素系セラミックス部品の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-109113
公開番号(公開出願番号):特開平7-299708
出願日: 1994年04月26日
公開日(公表日): 1995年11月14日
要約:
【要約】【目的】 窒化ケイ素系焼結体に研削加工を施して所定形状の機械部品とする際に、研削加工による強度の低下を飛躍的に回復ないし向上させ、高い信頼性を有する窒化ケイ素系セラミックス部品を製造する方法を提供する。【構成】 平均粒径が0.5μm以下のα-Si3N4と、平均長軸径が3μm以下で平均短軸径が1μm以下のβ’-サイアロンとからなる窒化ケイ素系焼結体を、表面の10点平均高さ粗さが1〜7μmとなるように所定の寸法に研削加工し、次に大気中において800〜1200°Cの温度範囲で加熱処理を施した後放置冷却することにより、加熱処理前後の研削加工表面の残留応力が圧縮残留応力であって、且つ加熱後圧縮残留応力/加熱前圧縮残留応力の比を1以上、好ましくは5以上とする窒化ケイ素系セラミックス部品の製造方法。
請求項(抜粋):
平均粒径が0.5μm以下のα-Si3N4と、平均長軸径が3μm以下で平均短軸径が1μm以下のβ’-サイアロンとからなる窒化ケイ素焼結体を、表面の10点平均高さ粗さが1〜7μmとなるように所定の寸法に研削加工し、次に大気中において800〜1200°Cの温度範囲で加熱処理を施した後放置冷却することにより、加熱処理前後の研削加工表面の残留応力が圧縮残留応力であって、且つ圧縮残留応力の加熱処理前に対する加熱処理後の比(加熱後圧縮残留応力/加熱前圧縮残留応力)を1以上とすることを特徴とする窒化ケイ素系セラミックス部品の製造方法。
IPC (5件):
B24B 1/00 ,  C04B 35/63 ,  C04B 35/584 ,  C04B 35/599 ,  C04B 41/80
FI (3件):
C04B 35/00 107 ,  C04B 35/58 102 X ,  C04B 35/58 302 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
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