特許
J-GLOBAL ID：200903099827095160

エピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置

発明者：
倉岡 義孝

倉岡 義孝 について

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三好 実人

三好 実人 について

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角谷 茂明

角谷 茂明 について

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田中 光浩

田中 光浩 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-069894
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267379
出願日： 2009年03月23日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供する。【解決手段】障壁層を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う(ステップS106)。パーティクル抑制処理は、TMIの供給を停止した後に、TMI以外の原料(TMI以外のIII族元素の原料及びアンモニアガス)及び窒素ガスの供給を継続することにより行う。又は、TMI及びTMI以外のIII族元素の原料の供給を停止した後に、基板の加熱を継続しながらアンモニアガス及び窒素ガスの供給を継続することにより行ってもよい。TMI、TMI以外のIII族元素の原料及び窒素ガスの供給を停止し水素ガスの供給を開始した後にアンモニアガスの供給を継続することにより行ってもよい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
少なくともインジウムを含有し組成が一般式InxAlyGazNであらわされる第1のIII族窒化物の膜を含むエピタキシャル基板の製造方法であって、 (a) リアクタの内部に収容された基板を加熱しながら、インジウムを含有する原料、インジウム以外のIII族元素を含有する原料、窒素を含有する原料及びキャリアガスを前記リアクタの内部に供給し、前記第1のIII族窒化物の膜を前記基板の表面にエピタキシャル成長させる工程と、 (b) 前記工程(a)の後に、前記インジウムを含有する原料の供給を停止する工程と、 (c) 前記工程(b)の後に、前記インジウム以外のIII族元素を含有する原料、前記窒素を含有する原料及び前記キャリアガスの供給を継続する工程と、 を備えるエピタキシャル基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L29/80 H
Fターム (27件)：
5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB15 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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