特許
J-GLOBAL ID：200903099841816252
イオンビーム加工装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354508
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 大電流・大口径のイオンビームを均一に中和し、ビーム発散の小さなイオンビームを加工対象に照射すること。【解決手段】 マイクロ波中和器14を真空容器とすることなく、加工室13内のうち加速電極6、減速電極9の近傍の領域に配置し、環状電極47の内周側にマルチリングカスプ磁場を形成する。導波管24、21を介してマイクロ波34が導入されると、電子サイクロトロン共鳴条件の位置でマイクロ波34が吸収されて環状電極47の内周側にリング状に均一な中和用プラズマが生成される。このとき環状電極47は加工室13に対して負電位に維持され、中和用プラズマからイオンが環状電極47に捕集される一方、イオンビーム36に対して、捕集されたイオンと同量の電子が供給されてイオンビーム36の中和が行なわれる。
請求項（抜粋）：
加工用プラズマを生成するイオン源と、真空容器としてイオン源に隣接して配置されて加工対象を収納する加工室と、前記イオン源と前記加工室との間に配置されて前記イオン源の加工用プラズマから加工室内に加工用イオンビームを引き出して加工対象に照射する引出し電極と、前記加工室の開口部を介して加工室外から加工室内の引出し電極近傍の領域にマイクロ波を導入し導入したマイクロ波を前記加工用イオンビームの伝搬領域の周囲に形成された環状の磁場に導いて環状の中和用プラズマを生成する中和用プラズマ生成手段と、前記加工室の電位に対して負電位に維持されて前記中和用プラズマ中のイオンを捕集するイオン捕集手段とを備えてなるイオンビーム加工装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01J 27/18
, H05H 1/46
, B23K 15/00 508
H01L 21/302 D
, C23F 4/00 C
, H01J 27/18
, H05H 1/46 B
, B23K 15/00 508
