イオンビーム処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-341039
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176373
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】処理室から飛来した絶縁物が帯状電極8の表面に堆積して中和性能が劣化するのを抑制する。【解決手段】帯状電極8の処理室側に、該帯状電極よりも開口断面積の小さな部材28を設置する。またイオン源の有するリングカスプ磁場発生部5bと中和手段の有するリングカスプ磁場発生部9aとが真空容器内に発生する磁極を同極性にする。

請求項（抜粋）：

内部にプラズマを生成し、該プラズマからイオンを引出すイオン引出し電極を有するイオン源と、該イオン源に接続され、引出されたイオンビームによって被処理物を処理する処理室と、処理室内のイオンビームを電気的に中和する中和手段とを有し、該中和手段は、イオン源と処理室との間に軸方向に沿って介設され、イオン引出し電極によって引出されたイオンビームを取り囲む空間室を形成する帯状電極と、該帯状電極の空間室にマイクロ波プラズマを発生させる手段と、処理室に対し帯状電極を負電位にする手段とを有しているイオンビーム処理装置において、前記帯状電極の処理室側に、帯状電極よりも開口断面積の小さな部材を設置したことを特徴とするイオンビーム処理装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 , B23K 15/00 508 , H01J 27/16 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5件)：

H01J 37/317 Z , B23K 15/00 508 , H01J 27/16 , H05H 1/46 A , H01L 21/302 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-121934
特開平2-007330
イオンビーム処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105884 出願人：株式会社日立製作所

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