半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144730
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017740
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】反応室壁面等への反応生成物の付着を抑制し、メンテナンスフリー.パーティクルフリーのCVD,エッチングを行う方法及び装置を提供する。【構成】プラズマエッチングの際、プロセスガスとしてハロゲン間化合物ガス等を含むガスを使用する。シリコン酸化膜からなる第1層間絶縁膜9をエッチングする際にはXeF2 ガスを、シリサイド膜からなるビット線10をパターニングする際にはBrF3 ガスを、ポリシリコン膜からなるストレージノード12を形成する際には、BrClガスを用いる。プラズマを介して基板表面では不揮発性の保護膜を形成して開口部の形状を良好にする。プラズマの影響が極めて小さい反応室壁面等ではデポ種を揮発性物質(SiF4 等)に代えて、反応生成物の付着を抑制する。CVDを行うための主ガスに添加ガスとしてハロゲン間化合物ガスなどを使用すれば、同じ効果を得る。

請求項（抜粋）：

反応室に半導体基板を設置する工程と、少なくとも、プラズマ状態で上記半導体基板上に膜を形成する成分を含む主ガスと、非プラズマ状態でデポ種との反応について所定値以下の活性化エネルギで揮発性の物質を生ぜしめて膜形成の抑制に寄与する添加ガスとを含むプロセスガスを反応室に導入する工程と、上記反応室内の半導体基板付近でプロセスガスをプラズマ状態にして、化学的気相成長法により上記半導体基板上に膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 F

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平1-189928
特開昭62-243768
薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228261 出願人：株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (5件)

半導体装置のケイ素酸化膜の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-361193 出願人：株式会社高純度化学研究所
特開平1-189928
特開平2-077116

全件表示

前のページに戻る