特許

J-GLOBAL ID：200903099903375703

チタン酸ジルコニウム酸鉛系膜、誘電体素子、誘電体膜の製造方法

発明者： 舟窪 浩 ,  横山 信太郎 ,  飯島 高志 ,  松田 弘文
出願人/特許権者： 財団法人理工学振興会 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209766
公開番号（公開出願番号）：特開2004-345939
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】高性能のチタン酸ジルコニウム酸鉛系エピタキシャル膜を提供すること。【解決手段】一般式Pb1-xLnxZryTi1-yO3(式中、Lnはランタン、ランタノイド元素、ニオブ、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、鉄、マンガンなどを表し、0≦x<1、0.43≦y≦0.65である。)で表される化学組成を有し、かつ膜の横断面方向(膜表面に垂直な方向)に(111)配向又はそれから15°以内の角度で配向した結晶膜であるチタン酸ジルコニウム酸鉛系エピタキシャル膜。好ましくはMOCVD法で成膜し、0.47≦y≦0.55である。圧電素子その他への応用。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

一般式Pb1-xLnxZryTi1-yO3(式中、Lnはランタン、ランタノイド元素、ニオブ、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、鉄、マンガン、スズを表し、0≦x<1、0.43≦y≦0.65である。)で表される化学組成を有し、かつ{111}配向(基板面に垂直な方向からのチルト角が15°以内の配向を含む)のエピタキシャル結晶膜であることを特徴とするチタン酸ジルコニウム酸鉛系膜。

IPC (8件)：

C30B29/32 ,  B41J2/16 ,  C23C16/40 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24

FI (8件)：

C30B29/32 D ,  C23C16/40 ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 D ,  B41J3/04 103H

Fターム (37件)：

2C057AF03 ,  2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077BC43 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077HA11 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA07 ,  4K030BA13 ,  4K030BA16 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA59 ,  4K030BB01 ,  4K030BB06 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030LA11 ,  5F083FR00 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094799   出願人：株式会社村田製作所
• 強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253480   出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Preparation and electrical properties of ferroelectric (Pb,La)(Zr,Ti)O3 thin films by metalorganic c
• 常圧MOCVD法によるPbTiO3薄膜の合成