特許
J-GLOBAL ID：200903099929426799

MOCVDを介して金属酸化物の薄膜を堆積させる方法

発明者：
ウェイ-ウェイ ザン

ウェイ-ウェイ ザン について

, 
シェン テン ス

シェン テン ス について

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ウェイ パン

ウェイ パン について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-390014
公開番号（公開出願番号）：特開2004-204348
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】 抵抗メモリ特性を有する材料を堆積させるMOCVDプロセスを提供すること。【解決手段】 MOCVDプロセスが、構造式M’xM”(1-x)MyOzを有する金属含有膜を形成するために提供され、ここで、M’は、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Y、Sc、Yb、LuおよびGdからなる群より選択される金属であり、M”は、Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、ZnおよびCdからなる群より選択される金属であり、Mは、Mn、Ce、V、Fe、Co、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zr、HfおよびNiからなる群より選択される金属であり、xは、0〜1の値を有し、yは0、1または2の値を有し、かつzは、1〜7の整数を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
a)基板を備える反応器内にアルコキサイド前駆体を導入する工程と、 b)該基板を備える反応器内に第2の金属含有前駆体を導入する工程と を包含する、基板上に金属含有膜を形成するMOCVDプロセス。
IPC (3件)：
C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10
FI (3件)：
C23C16/40 ,  H01L21/316 X ,  H01L27/10 451
Fターム (20件)：
4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030BA54 ,  4K030BA56 ,  4K030BA58 ,  4K030BA59 ,  4K030LA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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