ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-135862
公開番号（公開出願番号）：特開平8-305000
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】均一な膜厚の位相シフト層を供えたハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法を提供する。【構成】本ハーフトーン方式位相シフトマスクは、光透過領域40と半遮光領域42とを備え、半遮光領域を透過した光と光透過領域を透過した光との位相が異なる位相シフトマスクである。位相シフトマスクは、石英からなる基板32と、基板上に形成されたエッチングストッパ層34と、エッチングストッパ層上に順次積層された位相シフト層36及び金属薄膜38からなる半遮光領域と、半遮光領域内に開口してエッチングストッパ層が露出した光透過領域とを備えている。エッチングストッパ層により、エッチングの終了が規制され、位相シフト層の膜厚が正確に制御される。

請求項（抜粋）：

半遮光領域と光透過領域とを備え、半遮光領域を透過した光と光透過領域を透過した光との位相が異なるハーフトーン方式位相シフトマスクであって、石英からなる基板と、基板上に形成されたエッチングストッパ層と、エッチングストッパ層上に順次積層された位相シフト層及び金属薄膜と、エッチングストッパ層上に積層された前記位相シフト層及び金属薄膜を所定パターンで開口してエッチングストッパ層が露出した開口領域とを備え、前記露出した開口領域を光透過領域とし、前記開口領域以外の位相シフト層及び金属薄膜を有する領域を半遮光領域とすることを特徴とするハーフトーン方式位相シフトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (5件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 L , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528 , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-136854
位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-240804 出願人：凸版印刷株式会社
特開平4-162039

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