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文献
J-GLOBAL ID:201002208099214034   整理番号:10A1041239

ウェットウエハボンディングにより作製したGe/Siヘテロ接合の結晶性質

Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding
著者 (4件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 1248-1255  発行年: 2010年08月
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Ge/Siヘテロ接合フォトダイオードとアバランシェフォトダイオード(APDs)を製作するため,ウェットウエハボンディング法によりGeウエハとSiウエハを接着した。ウェットウエハボンディング後,250°Cと350°Cの低温と880°Cの高温で熱アニーリングを行い,Ge/Siヘテロ接合を形成した。そして,透過電子顕微鏡法とエネルギー分散X線分光法により,接合部の観察を行った。その結果,880°Cでアニーリングした試料ではヘテロ界面に遷移層があり,界面から20nm~30nm伸びた改質領域が見られた。低温アニーリングした試料では遷移層が非晶質で厚みが約20nmであり,改質層や格子空間の伸びはなかった。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光導電素子  ,  固体デバイス製造技術一般 

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