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J-GLOBAL ID：201002208099214034   整理番号：10A1041239

ウェットウエハボンディングにより作製したGe/Siヘテロ接合の結晶性質

Crystallographic Properties of Ge/Si Heterojunctions Fabricated by Wet Wafer Bonding

著者 (4件)： KANBE Hiroshi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  HIROSE Mami (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  ITO Tatsuya (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN) ,  TANIWAKI Masafumi (Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 8  ページ： 1248-1255  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge/Siヘテロ接合フォトダイオードとアバランシェフォトダイオード(APDs)を製作するため,ウェットウエハボンディング法によりGeウエハとSiウエハを接着した。ウェットウエハボンディング後,250°Cと350°Cの低温と880°Cの高温で熱アニーリングを行い,Ge/Siヘテロ接合を形成した。そして,透過電子顕微鏡法とエネルギー分散X線分光法により,接合部の観察を行った。その結果,880°Cでアニーリングした試料ではヘテロ界面に遷移層があり,界面から20nm~30nm伸びた改質領域が見られた。低温アニーリングした試料では遷移層が非晶質で厚みが約20nmであり,改質層や格子空間の伸びはなかった。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  超小形回路技術 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  湿式法 ,  *焼なまし ,  改質 ,  接合部 ,  ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  ケイ素合金
準シソーラス用語： SiGe合金 ,  アニーリング ,  ウェットプロセス ,  *ウエハボンディング ,  遷移層

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウエハボンディング ,  作製 ,  Ge ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  結晶性質