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J-GLOBAL ID：201002212283035182   整理番号：10A0776991

高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製

Fabrication of high-frequency and high-power AlGaN/GaN HEMTs

著者 (7件)： 山下良美 (情報通信研究機構) ,  渡邊一世 (情報通信研究機構) ,  遠藤聡 (情報通信研究機構) ,  広瀬信光 (情報通信研究機構) ,  松井敏明 (情報通信研究機構) ,  三村高志 (情報通信研究機構) ,  三村高志 (富士通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 80(ED2010 33-47)  ページ： 25-30  発行年： 2010年06月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300GHz)で動作可能で,将来の超高速・大容量・長距離無線通信用デバイスとして期待されている。今回,三層絶縁膜SiN/SiO₂/SiNを有するAlGaN/GaN系MIS-HEMTの更なる高周波および出力特性の向上を目指し,ゲートの微細化とともにソース・ドレイン電極間距離Lsdの短縮化とバリア層薄膜化を行った。その結果,ドレイン電流Idと伝達コンダクタンスg_mが増大し,Lsd=1.0μm,ゲート長Lg45nmにおいて電流利得遮断周波数f_T=188GHz,最大発振周波数f_max=173GHzに達した。更にLsd=1.0μm,Lg=80nm,ゲート幅Wg=100μmのMIS-HEMTにおいて利得5.1dB,出力電力密度182mW/mmを周波数85GHzで得た。(著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *HEMT ,  MIS構造 ,  被覆層
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  バリア層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (26件)：

• CHUNG, J. W. Gate-Recessed AlGaN/GaN HEMT with a Record fmax of 300 GHz. Proc. 8th Int. Conf. Nitride Semiconductors, no. Y1, Jeju, Korea, Oct. 2009. 2009
• PALACIOS, T. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors With InGaN Back-Barriers. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 1, 13-15
• SHINOHARA, K. 60-nm GaN/AlGaN DH-HEMTs with 1.0Ωmm R_<on>, 2.0 A/mm Id_<max>, and 153 GHz. Proc. Device Research Conf. 2009, Pennsylvania, USA, June. 2009, 167-168
• 渡邊一世. 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性. 電子情報通信学会, IEICE Technical Report. 2009, ED2009-159, 149-153
• ENDOH, A. High Performance AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Fabricated Using SiN/SiO_2/SiN Triple-Layer Insulators. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 4B, 3364-3367

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  高出力 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  作製