ENDOH Akira について
Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN について
YAMASHITA Yoshimi について
Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN について
HIROSE Nobumitsu について
National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN について
HIKOSAKA Kohki について
Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN について
MATSUI Toshiaki について
National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN について
HIYAMIZU Satoshi について
Osaka Univ., Osaka, JPN について
MIMURA Takashi について
Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について
窒化ケイ素 について
窒化ガリウムアルミニウム について
金属-絶縁体-半導体構造 について
トランジスタ について
SiN について
SiO2 について
3重 について
絶縁体 について
AlGaN について
GaN について
高性能 について
高電子移動度トランジスタ について