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J-GLOBAL ID:201002214275327657   整理番号:10A0597606

交替分子ビーム供給により作製されたCdSe/ZnSe量子ドット構造のその場RHEED研究

In-Situ RHEED Study of the Alloying of CdSe/ZnSe Quantum Dot Structure Fabricated by an Alternate Molecular Beam Supply
著者 (4件):
資料名:
巻:ページ: 283-286 (J-STAGE)  発行年: 2010年 
JST資料番号: U0016A  ISSN: 1348-0391  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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CdSe量子ドット(QD)をZnSe(100)膜上Se-及びCd-分子ビームの交互供給を用いて調製した。反射高エネルギー電子回折及びその鏡面ビーム強度を用いて,Znビーム照射によるドット発生,ドット凝集及びCdSe濡れ層(WL)及びQDの合金化の過程を研究した。CdSe QD発生のための臨界厚を増大させるZnビーム照射によるCdSe WLの合金化,並びに合金の組成はZnビームの照射周期に依存する。CdSe QDの合金化速度はかなり速いが,その合金化はあるZn組成で停止する(拡散の自己限界)。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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無機化合物一般及び元素  ,  原子ビーム,分子ビーム  ,  固-気界面一般 

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