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J-GLOBAL ID：201002215219930517   整理番号：10A1542953

ポジ型レジストとネガ型レジストのパターン崩壊挙動の比較

Comparison of positive tone versus negative tone resist pattern collapse behavior

著者 (5件)： YEH Wei-ming (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0100) ,  NOGA David E. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0100) ,  LAWSON Richard A. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0100) ,  TOLBERT Laren M. (School of Chemistry and Biochemistry, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332) ,  HENDERSON Clifford L. (School of Chemical and Biomolecular Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332-0100)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 6  ページ： C6S6  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポジ型とネガ型のレジスト系の崩壊挙動を探針できる機会を提供する電子ビームリソグラフィーパターンを特別に設計し作製した。パターンレイアウトは線の大きさと線の分離距離の異なる隣接した平行線構造を持つ。この種類の構造は現像工程の最終洗浄及び乾燥段階におけるフォトレジスト線の対の受ける毛管力(及び究極的に応力)を制御及び変調できる。このような構造を用いて,臨界応力(即ち,崩壊前にフォトレジスト線の受ける最大応力)を,材料の種類,基板の製造条件,レジスト膜厚,レジストのパターン幅,など種々のパラメータの関数として測定できる。本論文では,このモジュール型手法を用いて,保護したヒドロキシスチレン系共重合体を用いて処方したプロトタイプのポジ型レジストとプロトタイプのネガ型エポキシド系分子フォトレジスト(4-EP)のパターン崩壊挙動を比較した。パターン崩壊点における臨界応力はレジスト線の厚みとパターン幅の両方の低下と共に減少したが,この傾向はネガ型4-EP材料で遥かに小さかった。撮像機構に架橋が関係するネガ型レジストは脱保護系ポジ型レジストに比べて遥かに優れたパターン崩壊性能を示し,一般に同じパターン線幅において有意に高いアスペクト比のパターンを形成できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レジスト ,  *回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  *電子ビームリソグラフィー ,  現像 ,  毛管力 ,  応力 ,  脱保護基
準シソーラス用語： ポジ型レジスト ,  ネガ型レジスト ,  *パターン崩壊 ,  臨界応力

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ポジ型レジスト ,  ネガ型レジスト ,  崩壊 ,  挙動