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J-GLOBAL ID：201002217759570296   整理番号：10A0048990

直接ウエハボンディングを用いて作製したSi上の薄体III-V半導体オン絶縁体金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ

Thin Body III-V-Semiconductor-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Fabricated Using Direct Wafer Bonding

著者 (10件)： YOKOYAMA Masafumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YASUDA Tetsuji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAKAGI Hideki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA Hisashi (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  FUKUHARA Noboru (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  HATA Masahiko (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 12  ページ： 124501.1-124501.3  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい直接ウエハボンディング(DWB)を用いて,Siウエハ上に薄体III-V半導体オン絶縁体(III-V-OI)n-チャンネル金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET)を実証した。低エネルギー電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを用いて低損傷且つ低温のDWB工程により厚み100nmのInGaAsチャンネルを移動させた。移動させたSiウエハ上のInGaAs-OI nMOSFETは1200cm²・V^-1s^-1の高い電子チャンネル移動度を示し,このDWB工程により深刻なプラズマ損傷やボンディング損傷無しに薄いIII-V-OIチャンネルを形成できた。本技術はSiプラットフォーム上の超薄体III-V-OI MOSFETの集積可能性に道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *超小形回路技術 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  SOI構造 ,  *MOSFET ,  ECRプラズマ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  移動度
準シソーラス用語： *ウエハボンディング ,  Siウエハ ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• TAKAGI, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2008, 55, 21
• REN, F. Solid-State Electron. 1997, 41, 1751
• REN, F. IEEE Electron Device Lett. 1998, 19, 309
• RAJAGOPALAN, K. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 959
• XUAN, Y. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 935

タイトルに関連する用語 (6件)： ウエハボンディング ,  作製 ,  Si ,  III-V半導体 ,  絶縁体 ,  金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ