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J-GLOBAL ID：201002217994727330   整理番号：10A1070864

半導体式ガスセンサに用いられるSnO₂系センシング材料中のドーパントの役割(2)-Photon Factoryを利用したXAFSによる微量分析

THE ROLE OF DOPANTS IN SnO₂-BASED SEMICONDUCTOR GAS SENSING MATERIALS (2)-FLUORESCENCE XAFS ANALYSIS USING PHOTON FACTORY

著者 (9件)： 皆越知世 (新コスモス電機) ,  前川亨 (新コスモス電機) ,  神田奎千 (新コスモス電機) ,  野村勝裕 (産業技術総合研) ,  蔭山博之 (産業技術総合研) ,  新田清文 (高エネルギー加速器研究機構) ,  西野潤一 (高エネルギー加速器研究機構) ,  仁谷浩明 (高エネルギー加速器研究機構) ,  野村昌治 (高エネルギー加速器研究機構)
資料名： Chemical Sensors  (Chemical Sensors)
巻： 26  号： Supplement B  ページ： 109-111  発行年： 2010年09月02日 
JST資料番号： L3948A  CODEN： KAGSEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本発表では,Ce,およびSbをドープしたCe-Sb-SnO₂系センシング材料について,多素子半導体検出器を用いたCe L3,およびSb K吸収端の蛍光XAFs測定を高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所の大型放射光施設Photon Factory,およびPF-ARを利用して行った結果について報告した。Ceが共存している場合は添加量にかかわらず5価に近い傾向であることがわかった。センシング材料のCe L3-XANES領域にある3つのピークの高さとエネルギー位置は,Sbを添加していない場合はCe濃度が0.8mol%を超えるあたりから添加量が増加するにつれて変化することがわかった。一方,Sbが共存している場合は,Ce添加量の増加によるピークの高さとエネルギー位置の変化が若干小さくなる傾向があることがわかった。センシング材料中でのSbの価数は,Ceを添加していない場合は0.4mol%以下では3価に近く,0.6mol%以上では5価に近くなる傾向がある。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ガスセンサ ,  *酸化スズ ,  *検出 ,  ドーパント ,  *放射光施設 ,  *XAFS ,  *微量分析 ,  セリウム ,  アンチモン ,  ドーピング ,  半導体検出器 ,  吸収端
準シソーラス用語： センシング

分類 (3件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  化学プロセスの測定,監視,計装  (XC02030Y) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (4件)：

• T. Maekawa, C. Minagoshi and S. Nakamura, Chemical Sensors, 23-A, 97(2007).
• T. Maekawa, C. Minagoshi, S. Nakamura, K. Nomura and H. Kageyama, Chemical Sensors.24-A.19(2008).
• 皆越知世, 前川 亨, 鈴木健吾, 野村勝裕, 蔭山博之, マテリアル・インテグレーション, 第21巻, 第05, 06号 (2008).
• 平成21年度フォトンファクトリーの産業利用, 2009I002, 新コスモス電機

タイトルに関連する用語 (7件)： ガスセンサ ,  SnO2 ,  センシング ,  ドーパント ,  役割 ,  XAFS ,  微量分析