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J-GLOBAL ID：201002224461847828   整理番号：10A0500546

CMOS回路のバックエンド金属ライン上に集積した製作磁性トンネル接合のDC性能の研究

Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-End Metal Line of CMOS Circuits

著者 (9件)： IGA Fumitaka (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  KAMIYANAGI Masashi (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi Advanced Res. Lab., Kokubunji-shi, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi Advanced Res. Lab., Kokubunji-shi, JPN) ,  HASEGAWA Haruhiro (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  HANYU Takahiro (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN) ,  ENDOH Tetsuo (Tohoku Univ., Sendai-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C  号： 5  ページ： 608-613  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,4金属/1ポリゲート0.14m CMOSプロセスを用いたCMOS回路に集積した高性能磁性トンネル接合(MTJ)の製造に成功した。第3層金属ラインのバイア金属上に製造したMTJのDC特性を計測した。この60×180nm²MTJが,室温で151%のTMR比により3.52kΩ(逆平行)の大きな抵抗変化を達成した。これは,標準CMOSロジックのセンシング方式に対して十分大きかった。さらに,書込み電流は,標準CMOSトランジスタで駆動できる320μAであった。結果として,CMOS回路に集積した製造MTJのDC特性が,新しいスピンロジック(MTJベースロジック)素子に対して非常に良好であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  CMOS構造 ,  *トンネル接合 ,  *直流 ,  論理素子 ,  スピン ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *CMOS回路 ,  DC ,  MTJ ,  バックエンドプロセス ,  ロジックデバイス ,  *磁性トンネル接合

分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

引用文献 (21件)：

• KAUTZ, W. H. Cellular logic-in-memory arrays. IEEE Trans. Comput. 1969, C-18, 8, 719-727
• DJAYAPRAWIRA, D. D. 230% room-temperature magnetoresistance in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 092502
• IKEDA, S. Tunnel magnetoresistance of 604% at 300K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed high temperature. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 082508
• PARKIN, S. S. P. Giant tunnelling magnetoresistance at room temperature with MgO (100) tunnel barrier. Nat. Mater. 2004, 3, 862
• SLONCZEWSKI, J. C. Current-driven excitation of magnetic multilayers. J. Magn. Mater. 1996, 159, L1-L7

タイトルに関連する用語 (7件)： CMOS回路 ,  バックエンド ,  集積 ,  製作 ,  磁性トンネル接合 ,  DC ,  研究