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J-GLOBAL ID：201002227080970029   整理番号：10A0465667

放射光XPSによるSiO₂/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価

著者 (12件)： 桐野嵩史 (大阪大 大学院) ,  景井悠介 (大阪大 大学院) ,  岡本学 (大阪大 大学院) ,  HARRIES James (原子力機構) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  箕谷周平 (ローム) ,  中野佑紀 (ローム) ,  中村孝 (ローム) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18A-TJ-2  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  二酸化ケイ素 ,  水素化 ,  *バンドオフセット ,  伝導バンド ,  X線光電子スペクトル ,  シンクロトロン放射 ,  電流電圧特性 ,  Fowler-Nordheimトンネリング

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 放射光 ,  XPS ,  SiO2 ,  4H-SiC ,  伝導帯 ,  オフセット ,  評価