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J-GLOBAL ID：201002229465085312   整理番号：10A0685067

パターン付きEUVLマスク用アクティニック位相欠陥検出と転写性

Actinic phase defect detection and printability analysis for patterned EUVL mask

著者 (6件)： TERASAWA Tsuneo (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  YAMANE Takeshi (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  TANAKA Toshihiko (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  SUGA Osamu (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  KAMO Takashi (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  MORI Ichiro (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc. (Selete), Ibaraki-ken, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7636  号： Pt.1  ページ： 763602.1-763602.10  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無欠陥マスクを作製し,検査することは,EUVリソグラフィーの最重要課題である。本稿では,マスクの位相欠陥を検査するアクティニックマスクブランク検査装置を検討した。本システムはEUV光源,照射光学系,Schwarzschild暗視野光学系,CCDカメラからなる。大きさが60~120nmで高さが1.5~2.5nmの欠陥を作製した試料を用いて本システムで測定した。検査したマスクを実際に露光して,欠陥転写実験も行なった。この結果により,本システムでEUVマスクブランクの欠陥を検査できることを示した。大きさが60nmで高さが1.5nmの欠陥を捕捉率94%で検出することができた。焦点制御と信号処理を改良することにより欠陥検出率をほぼ100%にした。マスクの60nmの欠陥はレジストに転写された。

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  パターン形成 ,  *マスク ,  欠陥 ,  ブランク ,  光学系 ,  CCDカメラ ,  信号処理 ,  レジスト
準シソーラス用語： EUVマスク ,  *EUVリソグラフィー ,  EUV光源 ,  暗視野 ,  位相欠陥 ,  遠紫外線リソグラフィー ,  *欠陥検出 ,  検査装置 ,  *転写性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： EUVL ,  マスク ,  位相欠陥 ,  転写性