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J-GLOBAL ID：201002229632734875   整理番号：10A0500797

ErをドープしたGaNにおけるErに関係するルミネセンスの濃度クエンチングの抑制

Suppression of concentration quenching of Er-related luminescence in Er-doped GaN

著者 (7件)： CHEN Shaoqiang (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  DIERRE Benjamin (Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  LEE Woong (Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  SEKIGUCHI Takashi (Advanced Electronic Materials Center, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  TOMITA Shigeo (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  KUDO Hiroshi (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  AKIMOTO Katsuhiro (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tennodai 1-1-1, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 18  ページ： 181901  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のドーピング濃度を持つエルビウムドープしたGaNを,アンモニアソース分子ビームエピタクシによって成長させた。4f殻内遷移に関係する緑色ルミネセンスを,光ルミネセンス(PL)及び陰極ルミネセンス(CL)の両測定によって観測した。Erに関係するルミネセンスの濃度クエンチングは,PL測定において観測されるのに,CL測定では観測されないことを見いだした。異なる励起及び緩和過程を,PLとCLの間の濃度クエンチング特性の原因として提案する。高度にドープしたGaNでの強いEr関係のCL強度は,高エネルギー励起がErドープしたGaNでの濃度クエンチングを抑制する,有望なアプローチであることを実証する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  エルビウム ,  ドーピング ,  濃度 ,  アンモニア ,  MBE成長 ,  *ルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  陰極線ルミネセンス ,  クエンチ ,  励起 ,  緩和現象
準シソーラス用語： 分子ビームエピタクシー ,  クエンチング

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Er ,  ドープ ,  GaN ,  ルミネセンス ,  クエンチング