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J-GLOBAL ID：201002235121029383   整理番号：10A0823352

フルオロカーボン気体プラズマを用いた誘電体厚膜エッチング時の金属-窒化物-酸化物-珪素電界効果トランジスタの電荷ポンピング電流の増大の機構

Mechanism of increase in charge-pumping current of metal-nitride-oxide-silicon-field effect transistors during thick dielectric film etching using fluorocarbon gas plasma

著者 (4件)： ICHIHASHI Yoshinari (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan and Sanyo Electric Co., Ltd. ...) ,  ISHIKAWA Yasushi (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  SHIMIZU Ryu (Sanyo Electric Co., Ltd., 180 Ohmori, Anpachi-cho, Anpachi-gun, Gifu 503-0195, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., Katahira 2-1-1, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 4  ページ： 829  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-半導体(MIS)素子へのプラズマ照射損傷は,フルオロカーボン気体を用いた誘電体膜エッチング工程時のSiとSiO₂の界面の状態密度及び電荷ポンピング電流の増加などの深刻な問題の原因になり得る。増加は誘電体厚膜のプラズマエッチング時にイオンを加速するための基板RFバイアス上昇の帰結として電荷ポンピング電流を観測した。電流増加はE′中心とPb中心の組合せで起きることが分かった。即ち,イオン照射により誘電体膜表面に発生した電子(E′中心)はSiO₂/Si界面のSiダングリングボンドに捕獲される(Pb中心)。これらのPb中心はUV光子の透過により発生する。従って,MIS素子のSiO₂/Si界面の損傷を排除するには,UV光子とイオン照射の両方の制御が極めて重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  MIS構造 ,  プラズマ曝露 ,  照射損傷 ,  状態密度 ,  *励起 ,  膜 ,  誘電体 ,  *プラズマエッチング ,  イオン照射 ,  ダングリングボンド ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  プラズマ照射 ,  *電荷ポンピング ,  誘電体厚膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (11件)： フルオロカーボン ,  気体 ,  プラズマ ,  誘電体 ,  厚膜 ,  エッチング ,  窒化物 ,  酸化物 ,  珪素 ,  電界効果トランジスタ ,  電荷ポンピング