文献

J-GLOBAL ID：201002239565630488   整理番号：10A0626874

SiO₂基板上に作製されたパターンエッジ近傍でのグラフェン様薄膜の非触媒成長

Non-catalytic growth of graphene-like thin film near pattern edges fabricated on SiO₂ substrates

著者 (4件)： SUZUKI Satoru (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa, 243-0198, JPN) ,  KOBAYASHI Yoshihiro (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa, 243-0198, JPN) ,  MIZUNO Tomoyuki (Dep. of Integrated Design Engineering, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., Hiyoshi, Yokohama 223-8522, JPN) ,  MAKI Hideyuki (Dep. of Integrated Design Engineering, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ., Hiyoshi, Yokohama 223-8522, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 18  ページ： 5040-5043  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エタノールを用いた簡単な熱化学蒸着法によりパターン化されたSiO₂基板上にグラフェン様薄膜を成長させた。薄膜成長はパターンエッジの近傍で優先的に生じた。基板又はパターンに対して触媒金属は必要ない。薄膜は数ナノメートルスケールのグラファイトナノ結晶から構成されていた。電気的性質では室温で電場効果が観測された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱CVD ,  *グラファイト ,  ナノ結晶 ,  薄膜成長 ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  *パターン形成 ,  フォトリソグラフィー ,  電子ビームリソグラフィー ,  Raman散乱 ,  電気伝導率 ,  *電流電圧特性 ,  脂肪族アルコール ,  *グラフェン

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  作製 ,  エッジ ,  近傍 ,  グラフェン ,  薄膜 ,  触媒 ,  成長