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J-GLOBAL ID：201002239931066981   整理番号：10A0908787

スパイキングニューロン素子に対するシリコンナノディスクの二次元アレイにおける電子輸送の制御

Control of Electron Transport in Two-Dimensional Array of Si Nanodisks for Spiking Neuron Device

著者 (7件)： IGARASHI Makoto (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IGARASHI Makoto (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HUANG Chi-Hsien (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HUANG Chi-Hsien (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MORIE Takashi (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 8  ページ： 085202.1-085202.3  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパイキングニューロンを用いてシリコンナノディスクアレイ(2D NDアレイ)素子を作成した。鉄-酸化物コアの2Dアレイを均一マスクとし,欠陥フリー塩素中性ビームを腐食液として用いて,2D NDアレイを作成した。2D NDアレイにおける電子のランダムな跳躍から生じる可能性のあるパルス入力信号(電圧)から減衰アナログ入力(電流)への転換が明らかに観測された。さらに,これらのアナログ出力は,連続的パルス入力を加えることにより,この2Dアレイにおいて積分することができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ニューロン ,  *エレクトロトランスポート ,  *ナノ構造 ,  *ケイ素 ,  ディスクアレイ
準シソーラス用語： スパイキングニューロン ,  *電子輸送 ,  *ナノディスク ,  *シリコン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (19件)：

• MAASS, W. Neural Networks. 1997, 10, 1659
• MAASS, W. Pulsed Neural Networks. 1998
• TANAKA, H. IEICE Trans. Fundam., A. 2009, E92-A, 1690
• KARAHALILOGLU, K. IEEE Trans. Electron Devices. 2003, 50, 1610
• WEBER, W. IEEE Trans. Electron Devices. 1996, 43, 1700

タイトルに関連する用語 (5件)： スパイキングニューロン ,  シリコン ,  ナノディスク ,  アレイ ,  電子輸送