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J-GLOBAL ID：201002240830695765   整理番号：10A0060222

表面増強Raman散乱機能による櫛形アレイ電極の開発

Development of Interdigitated Array Electrodes with Surface-enhanced Raman Scattering Functionality

著者 (6件)： ISLAM Md. Monirul (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.) ,  UENO Kosei (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.) ,  UENO Kosei (PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency) ,  JUODKAZIS Saulius (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.) ,  YOKOTA Yukie (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.) ,  MISAWA Hiroaki (Res. Inst. for Electronic Sci., Hokkaido Univ.)
資料名： Analytical Sciences  (Analytical Sciences)
巻： 26  号： 1  ページ： 13-18 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0673B  ISSN： 0910-6340  CODEN： ANSCEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面増強Raman散乱(SERS)機能の櫛形アレイ電極による電気活性種のその場定性及び定量的分析を実証した。電子ビームリソグラフィーによって金ナノ構造櫛形アレイ電極(NIDAEs)を調製し,単一及び発生捕集モードにおける水性KClO₄溶液中のK₃[Fe(CN₆)]の電気化学的SERS研究に適用した。発生捕集モード実験は印加電位負端での吸着フェリシアニドイオンのSERSバンド強度の増幅を示したが,単一モードではゼロ近傍まで減少することが分かった。この新しい調査結果はNIDAEsが電気活性種の分析感度及び検出能力を向上させて,分析科学の新しい機会を提供することを示した。線形及び非線形光学現象の操作にナノギャップ蓄積電場は有望であり,小型化NIDAEsは実験室チップデバイスの開発に重要で少量及び/または低濃度被検質のみを必要とする小空間/体積領域中での測定に有効なものと考察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 表面増強Raman散乱 ,  *表面増強Raman分光法 ,  櫛形 ,  電子ビームリソグラフィー ,  ナノ構造 ,  金 ,  ヘキサシアノ鉄酸塩 ,  活性 ,  *チップ ,  小型化 ,  定量的分析 ,  高感度 ,  微量分析 ,  *微小電極 ,  スペクトル線強度 ,  その場観察 ,  非線形光学 ,  *電極過程
準シソーラス用語： 櫛形アレイ電極 ,  電気活性

分類 (2件)： 分光分析  (CC03012W) ,  電極過程  (CB07040U)

引用文献 (40件)：

• SANDERSON, D. G. Anal. Chem. 1985, 57, 2388
• NIWA, O. Electroanalysis. 1991, 3, 163
• NIWA, O. Anal. Chem. 1990, 62, 447
• NIWA, O. J. Electroanal. Chem. 1989, 267, 291
• TABEI, H. Anal. Chem. 1994, 66, 3500

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面増強Raman散乱 ,  櫛形 ,  アレイ ,  開発