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J-GLOBAL ID：201002244183880500   整理番号：10A1054212

スケーリングされた酸化金属半導体電界効果トランジスターの等価ノイズ温度表示

Equivalent Noise Temperature Representation for Scaled MOSFETs

著者 (4件)： SHIMOMURA Hiroshi (Panasonic Corp., Nagaokakyo-shi, JPN) ,  SHIMOMURA Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN) ,  KAKUSHIMA Kuniyuki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN) ,  IWAI Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C  号： 10  ページ： 1550-1552  発行年： 2010年10月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スケーリングされた酸化金属半導体電界効果トランジスターのために拡張ファンデル・ジールモデルを適用することによって,熱雑音の新しい表示を提案した。また,提案された表示とPospieszalskiのモデルの比較が実行される。我々は,ドレインノイズ温度の表示T_dがゆるやかなチャネル領域の電子温度に対応することを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  電子温度 ,  *熱雑音 ,  ドレイン【半導体】 ,  *雑音温度 ,  *トランジスタモデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• [1] A.van der Ziel, “Thermal noise in field effect transistors,” Proc. Institute Radio Engineers (IRE), vol.50, pp.1808-1812, Aug. 1962.
• [2] A.van der Ziel, “Gate noise in field effect transistors at moderately high frequencies,” Proc. IEEE, vol.51, pp.461-463, March 1963.
• [3] H. Shimomura, K. Kakushima, and H. Iwai, “Effect of high frequency noise current sources on noise figure for Sub-50nm node MOSFETs,” IEICE Trans. Electron., vol.E93-C, no.5, pp.678-684, May 2010.
• [4] H. Nyquist, “Thermal agitation of electric charge in conductors,” Phys. Rev., vol.32, no.7, pp.110-113, 1928.
• [5] R.A. Pucel, H.A. Haus, and H. Statz, “Signal and noise properties of gallium arsenide field effect transistors,” Advances in Electronics and Electron Physics, vol.38, pp.195-265, 1975.

タイトルに関連する用語 (5件)： スケーリング ,  酸化 ,  金属半導体電界効果トランジスター ,  等価 ,  ノイズ