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J-GLOBAL ID：201002246737936793   整理番号：10A0814507

補償Siのドナー-アクセプタ対ルミネセンスのための微細構造

Fine Structure Due to Donor-Acceptor Pair Luminescence in Compensated Si

著者 (5件)： TAJIMA Michio (JAXA, Sagamihara, JPN) ,  IWAI Takaaki (JAXA, Sagamihara, JPN) ,  TOYOTA Hiroyuki (JAXA, Sagamihara, JPN) ,  BINETTI Simona (Univ. Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  MACDONALD Daniel (Australian National Univ., ACT, AUS)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 7  ページ： 071301.1-071301.3  発行年： 2010年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4.2Kでのドナー-アクセプター(DA)ペアルミネセンスの高エネルギー側の微細構造をPドナーとBアクセプターを含む補償Siにおいて解析した。光子エネルギーに対してそれぞれのペアの転移エネルギーの関数としてペア数からDAペアの密度分布を計算した。一般に認められたエネルギー・ギャップ値と,PドナーとBアクセプター・イオン化エネルギーを使い密度カーブと観察スペクトル構造の間の密な一致を得た。これは,構造が離散的DAペア再結合によると結論するのを可能にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ドナー-アクセプタ対 ,  微細構造 ,  エネルギーギャップ ,  イオン化 ,  スペクトル ,  密度分布 ,  *ルミネセンス ,  ケイ素

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (10件)：

• THOMAS, D. G. Phys. Rev. 1964, 133, A269
• DEAN, P. J. Progress Crystal Growth Characterization. 1982, 5, 89
• ENCK, R. C. Phys. Rev. 1969, 177, 1182
• TAJIMA, M. Appl. Phys. Lett. 1978, 32, 719
• KOLBESEN, B. O. Appl. Phys. Lett. 1975, 27, 353

タイトルに関連する用語 (5件)： 補償 ,  Si ,  ドナー-アクセプタ対 ,  ルミネセンス ,  微細構造