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J-GLOBAL ID:201002248429203311   整理番号:10A0169744

ポリイミドをターゲットとした高周波スパッタ膜の成膜条件が薄膜に与える影響

Effects of Sputtering Condition on Thin Films Deposited by r.f. Sputtering with a Polyimide Target
著者 (3件):
資料名:
巻: 130  号:ページ: 147-154 (J-STAGE)  発行年: 2010年 
JST資料番号: S0808A  ISSN: 0385-4205  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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フレキシブルプリント回路(FPC)上の絶縁・保護膜として,基板との高い密着性を持つスパッタ膜を応用することが有効であると考えられる。そこで,本研究では,アルゴンをスパッタリングガスとして,高周波スパッタリングによりガラス基板および銅基板上にポリイミド(PI)をターゲットとした薄膜を作製した。成膜時の圧力及び高周波出力が薄膜に与える影響についてXPS等にて評価を行った。結果を以下に示す。 1)薄膜の磨耗耐久性は成膜時の圧力を上昇させること,また高周波出力を低下させることにより向上する。 2)薄膜と銅基板との密着性は成膜時の圧力を上昇させること,また高周渡出力を低下させることにより向上する。薄膜と銅基板との密着性は薄膜のぬれ性の影響を受けると考えられる。 3)薄膜のせん断強度は成膜時の圧力を上昇させることにより低下した。 4)窒素をスパッタリングガスとしPIをターゲットとして作製したスパッタ膜と比較して,銅基板との密着性を維持しつつ薄膜の潤滑性を大幅に改善できた。
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分類 (1件):
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薄膜成長技術・装置 
引用文献 (22件):

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