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J-GLOBAL ID：201002248887155296   整理番号：10A1066050

独立型DG FinFETによるTiN FinFET SRAM電池の可変性解析とその補償

Variability Analysis of TiN FinFET SRAM Cells and Its Compensation by Independent-DG FinFETs

著者 (9件)： ENDO Kazuhiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  O’UCHI Shin-ichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ISHIKAWA Yuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  LIU Yongxun (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA Takashi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SAKAMOTO Kunihiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  TSUKADA Junichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  YAMAUCHI Hiromi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 10  ページ： 1095-1097  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN FinFET SRAM電池性能の可変性を解析し,SRAM電池性能の可変性を向上させるV_th可制御独立二重ゲート(IDG)FinFET技術を報告した。本研究のSRAM電池はCDF-FinFETとV_th可制御IDG-FinFETで作成するが,FinFETのV_th変動がSRAM電池のSNM変動を起こすことは実験的に確認されていた。V_th可制御IDG-FinFET技術は,SRAM電池での変動問題を改善し,高度な電池安定性で0.5VのSRAM操作を実現した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *可変性 ,  *SRAM ,  電池 ,  安定性 ,  仕事関数 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： *FinFET ,  金属ゲート ,  二重ゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： dG ,  FinFET ,  TiN ,  SRAM ,  電池 ,  可変性 ,  解析 ,  補償