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J-GLOBAL ID：201002249311232526   整理番号：10A1127518

ナノスケールエピタキシャル横方向被覆成長によるサファイア上のInGaNベースエピ層の結晶品質の改善

Improvement in Crystalline Quality of InGaN-Based Epilayer on Sapphire via Nanoscaled Epitaxial Lateral Overgrowth

著者 (9件)： CHIU Ching-Hsueh (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIN Da-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LI Zhen-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Chin-Hua (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Chu-Li (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TU Chia-Cheng (Chung Yuan Christian Univ., Chungli, TWN) ,  KUO Hao-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Tien-Chang (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Shing-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 10  ページ： 105501.1-105501.5  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低圧誘起金属化学的気相成長(LP-MOCVD)によりナノコラムパターン化サファイア基板(NCPSS)を用いて高性能GaNベース発光ダイオード(LED)を達成した。原子間力顕微鏡法(AFM)により表面粗さを評価した。パワー依存光ルミネセンス測定から得られた結果を参照して,NCPSS上に作製したGaNベースLEDにおけるキャリアー局在機構を検討した。さらに,透過型電子顕微鏡法(TEM)画像から,NCPSS上に作製したGaNベースLED中の貫通転位密度が平面基板上に作製したものよりも約10倍低いことを見出した。最後に,NCPSS上に作製したGaNベースLEDの内部量子効率(IQE)は,20mAの電流に対応する,30mWで48%と高かった。これは平面サファイア基板上に作製したGaNベースLEDのそれより8%高い。結晶品質の向上によりGaNベースLEDの放出効率を高めるためにNPPSSの利用が有効であることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *長さ ,  *エピタクシー ,  基板 ,  サファイア ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  *パターン形成 ,  原子間力顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  ナノ構造 ,  *量子効率 ,  *品質
準シソーラス用語： *ナノスケール ,  被覆成長 ,  窒化ガリウムインジウム ,  ナノカラム ,  貫通転位密度 ,  内部量子効率 ,  *結晶品質

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (27件)：

• Y. Narukawa, I. Niki, K. Izuno, M. Yamada, Y. Murazki, and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002) L371.
• E. F. Schubert: Light Emitting Diodes (Cambridge University Press, Cambridge, U. K., 2003) 2nd ed., p. 21.
• J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou, and A. V. Nurmikko: Appl. Phys. Lett.73(1998)1688.
• S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. lwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano. and K. Chocho: Appl. Phys. Lett.72(1998)211.
• D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett.71(1997)1204.

タイトルに関連する用語 (5件)： 横方向被覆成長 ,  サファイア ,  InGaN ,  エピ層 ,  結晶品質