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J-GLOBAL ID：201002249695099054   整理番号：10A0159020

1.成膜技術 1.1 電気めっき 1.1.5 すず,半田めっき

著者 (5件)： 村上浩二 (岡山県工技セ) ,  日野実 (岡山県工技セ) ,  水戸岡豊 (岡山県工技セ) ,  高見沢政男 (オーエム産業) ,  仲井清眞 (愛媛大)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 61  号： 2  ページ： 132-134  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SnおよびSn合金(半田)の電気めっきについての最近の技術進歩に関して紹介した。Sn合金めっきは電子機器の端子の導電性確保のために一般的に使用される。Pb含有半田の規制にともないSn-Bi合金などPbフリー半田めっきが適用されている。Snめっき皮膜からは時間経過とともにウィスカが成長し,電気短絡故障を生じる。この防止のためにはSn-Pb合金めっきの使用が有効であるが,これについてもPbフリー化が必要である。半田めっき皮膜におけるウィスカの発生機構および抑制指針について説明した。これに関連するSnとNi,Cuなどとの間で常温においても進行する相互拡散,金属間化合物生成などによる金属組織変化について述べた。また,SnはLiを多量に吸蔵するためLi二次電池の負極材料としても有望である。

シソーラス用語： *スズめっき ,  合金めっき ,  端子 ,  *はんだ ,  スズ合金 ,  ビスマス含有合金 ,  *ホイスカ ,  相互拡散 ,  *金属組織 ,  リチウム二次電池 ,  電極材料
準シソーラス用語： はんだめっき ,  *鉛フリーはんだ ,  成膜

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

引用文献 (12件)：

• 電気鍍金研究会編. 次世代めっき技術. 2004, 128
• 縄舟秀美. めっき最新技術. 2006, 334
• 川中龍介. 錫ウィスカ成長プロセスの解明と対策. 2006, 3
• 三浦雄一郎. 日本金属学会誌. 2004, 68, 552
• 深井有. 中央大学理工学研究所論文集. 2003, 8, 1

タイトルに関連する用語 (4件)： 成膜 ,  電気めっき ,  すず ,  半田めっき