オン抵抗と阻止電圧の間にトレードオフ関係のないダイヤモンドSchottky-PNダイオード

MAKINO Toshiharu; KATO Hiromitsu; TOKUDA Norio; OGURA Masahiko; TAKEUCHI Daisuke; OYAMA Kazuhiro; OYAMA Kazuhiro; TANIMOTO Satoshi; OKUSHI Hideyo; YAMASAKI Satoshi; YAMASAKI Satoshi

文献

J-GLOBAL ID：201002253715183127 整理番号：10A1041123

オン抵抗と阻止電圧の間にトレードオフ関係のないダイヤモンドSchottky-PNダイオード

Diamond Schottky-pn diode without trade-off relationship between on-resistance and blocking voltage

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資料名：
巻： 207 号： 9 ページ： 2105-2109 発行年： 2010年09月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

高圧高温合成Ib(001)単結晶ダイヤモンド上に,ダイヤモンドSchottky-PNダイオード(SPND)を作製した。これは高濃度ドープのP⁺型層とSchottky金属との間に完全空乏N型活性層を挟んだもので,P⁺型層およびN型層は独立にマイクロ波プラズマ化学蒸着により作製した。原料にはメタンおよび水素,またドーピングにはジボランおよびホスフィンを用いた。バンドダイアグラムを用いた作動機構の解析から,オン抵抗を下げるためP⁺型層のアクセプタ濃度を高め,阻止電圧を高めるためN型層の厚さを増加させた。結果としてオン抵抗0.03mΩcm²および,先に報告されたダイヤモンドSPNDのものより高い阻止抵抗を同時に達成した。本研究により,このSPNDは原理的に,オン抵抗と阻止電圧の間にトレードオフ関係がないことを明らかにした。

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ダイオード , 半導体-金属接触 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 半導体薄膜

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