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J-GLOBAL ID：201002254737087853   整理番号：10A0565128

Cu/VN/SiO₂/Si系の破損に導くナノ結晶VN障壁における微細構造の発達

Evolution of Microstructures in Nanocrystalline VN Barrier Leading to Failure in Cu/VN/SiO₂/Si Systems

著者 (3件)： TAKEYAMA Mayumi B. (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  ITOI Takaomi (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  NOYA Atsushi (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 3  ページ： 05FA05.1-05FA05.5  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温アニールによるCu/VN/SiO₂/Si系の欠陥機構を明確にするために,約10nm厚さのナノ結晶VN障壁の微細構造の発達を調べた。透過型電子顕微鏡観察は,堆積したばかりのVN障壁が,10nmより小さない粒子から成る柱状構造の均一な層を示すことを明らかにした。600°C,1h間のアニール後でも,VN障壁の形態変化は無視できることが判った。800°Cのアニールで,各界面での何らの固相反応もなく,横方向へのVN粒の顕著な成長が引き起こされ,層の局所不連続によるVN障壁の欠陥をもたらした。この結果は,また,Auger分光法によって得られた結果と一致した。薄いVN障壁は,800°Cで1h間のアニール後,障壁界面での化学反応も相互混合もなく,横方向の連続性の欠如より欠陥を生じることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 多層 ,  銅 ,  *バナジウム化合物 ,  *窒化物 ,  ケイ素 ,  *超薄膜 ,  *ナノ結晶 ,  被覆層 ,  焼なまし ,  *微細構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  Augerスペクトル ,  構造 ,  温度依存性 ,  界面 ,  格子欠陥 ,  固相反応 ,  *拡散障壁 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  HRTEM ,  トンネル障壁 ,  障壁層 ,  *窒化バナジウム ,  柱状構造

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (18件)：

• P. L. Pal and C. H. Ting: IEEE Electron Device Lett.10(1989)423.
• M. B. Small and D. I. Pearson: IBM J. Res. Dcv.34(1990)858.
• International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), 2007 Edition.
• M. B. Takeyama, T. Itoi, K. Satoh, M. Sakagami, and A. Noya: J. Vac. Sci. Technol. B 22(2004)2542.
• H. Kizil and C. Steinbrüchel: Thin Solid Films 449(2004)158.

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  SiO2 ,  Si ,  破損 ,  ナノ結晶 ,  障壁 ,  微細構造 ,  発達