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J-GLOBAL ID:201002255340164106   整理番号:10A0684362

格子間型酸化物イオン伝導体のミリングによる欠陥構造変化とその低温熱容量への影響

Variation of Defect Structure of Interstitial-Type Oxide Ion Conductors Due to Milling and Its Effects on the Low-Temperature Heat Capacity
著者 (5件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 104-111  発行年: 2010年06月15日 
JST資料番号: Z0896A  ISSN: 0386-2615  CODEN: NESOD2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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格子間型酸化物イオン伝導体のミリングによる欠陥構造制御とその低温熱容量への影響に関する最近の研究を紹介した。焼結法で得られたLa置換PbWO4は過剰な酸化物イオンを格子間サイトにもち,これにより高温で高い酸化物イオン伝導性を示すが,メカニカルアロイング(MA)法で得られた試料では格子間酸化物イオンを形成しない。焼結体の低温熱容量は100K付近でMA試料に比べてわずかに大きく,これはイオン伝導の熱励起と格子間イオンの存在による周囲への歪みによるものと考えられた。さらに焼結体をミリングすることにより,格子間酸化物イオンの消失と格子がやわらかくなる過程を,熱容量の観点から観測した。これらの欠陥構造とイオン伝導性について,中性子回折と粉末密度測定データとともに議論した。(著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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固体中の拡散一般  ,  化合物の化学熱力学(純物質)  ,  その他の無機化合物の格子欠陥 
引用文献 (27件):
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