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J-GLOBAL ID：201002256856114411   整理番号：10A1616127

新型大容量2in1IGBTモジュール

New High Power 2-in-1 IGBT Module

著者 (2件)： 山本拓也 (富士電機システムズ) ,  吉渡新一 (富士電機システムズ)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 83  号： 6  ページ： 388-392  発行年： 2010年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 拡大を続ける風力・太陽光発電などの新エネルギー分野への適用を狙い,富士電機は,並列接続に適した新型大容量2in1IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールを開発した。本製品は,最新の第6世代「Vシリーズ」IGBTを搭載している。半導体チップの接合部温度が175°Cになっても動作を保証するとともに,業界最高水準の低オン電圧と低スイッチング損失を達成した。超音波端子接合や高信頼性鉛フリーはんだなどのパッケージ技術を適用し,従来より高い信頼性を確保した。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *回路モジュール ,  *電流容量 ,  *並列接続 ,  半導体チップ ,  スイッチング損失 ,  電流電圧特性 ,  端子 ,  はんだ
準シソーラス用語： 無鉛はんだ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• 古閑丈晴ほか.3.3kV IGBTモジュール. 富士時報2009, vol.82, no.6, p. 371-374.
• 西村孝司ほか. IGBTハイパワーモジュール. 富士時報2008, vol.81, no.6, p. 390-394.
• 高橋孝太ほか. IGBTモジュール「Vシリーズ」の系列化. 富士時報.2009, vol, 82, no.6, p. 380-383.
• Morozumi, A. et al. Reliability of Power Cycling for IGBT Power Semiconductor Module. Conf. Rec. IEEE Ind. Appl. Cof.36th.2001. p. 1912-1918.
• 木戸和優ほか. IGBTモジュール用超音波接合技術の開発 (第一報).Conf.Rec.

タイトルに関連する用語 (2件)： 大容量 ,  モジュール