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J-GLOBAL ID：201002262213125734   整理番号：10A0565003

高抵抗エピタキシャルインジウムドープSnO₂の合成及びキャラクタリゼイション

Synthesis and Characterization of Highly Resistive Epitaxial Indium-Doped SnO₂

著者 (4件)： WHITE Mark E. (Univ. California, CA, USA) ,  BIERWAGEN Oliver (Univ. California, CA, USA) ,  TSAI Min-Ying (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 5  ページ： 051101.1-051101.3  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーを用いて,(101)酸化スズ,SnO₂,の高抵抗単結晶エピタキシャルインジウムドープ薄膜を,r面サファイア基板上に成長させた。9.8×10¹⁹cm^-3のIn濃度をもつ450nm一様ドープ層に関する最大抵抗率は,2.4×10⁴Ωcmで,対応するシート抵抗は553mΩ/□であった。750nm非一様ドープ膜のシート抵抗は,2GΩ/□であった。Inは,非意図的ドープ電子を補償する深いトラップであり,高抵抗膜を生成した。絶縁性SnO₂膜は,低レベルの制御可能ドーピングを可能にし,SnO₂の基本的特性の研究を可能にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  単結晶 ,  *インジウム ,  *ドーピング ,  基板 ,  電気抵抗率 ,  シート抵抗
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ半導体 ,  サファイア基板 ,  トラップ【固体】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (15件)：

• OSHIMA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2009, 48, 120207
• TSAI, M. Y. J. Cryst. Growth. 2008, 310, 4256
• TSAI, M. Y. J. Appl. Phys. 2009, 106, 024911
• WHITE, M. E. J. Vac. Sci. Technol. A. 2008, 26, 1300
• WHITE, M. E. J. Appl. Phys. 2009, 106, 093704

タイトルに関連する用語 (1件)： キャラクタリゼイション