文献

J-GLOBAL ID：201002264355589722   整理番号：10A0898688

仮想光学放射分光信号を用いた誘電体のエッチングの際のプラズマ壁反応の解析

Analysis of Plasma Wall Reactions Using Virtual Optical Emission Spectrometry Signal during Dielectric Etching

著者 (6件)： KUBOI Nobuyuki (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKASAWA Masanaga (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWASHIMA Atsushi (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  OSHIMA Keiji (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAGAHATA Kazunori (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  TATSUMI Tetsuya (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 8,Issue 2  ページ： 08JD01.1-08JD01.5  発行年： 2010年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマによるエッチプロファイルの変動や損傷量を減らし,高性能なCMOSを実現するためにはプラズマの揺らぎを最小化する必要がある。本論ではH₂プラズマの揺らぎについて調べた。誘電体のエッチング時におけるのぞき窓から観測される光学放射強度およびHラジカル密度の空間分布を予言するため,プラズマ-壁反応の数値シミュレーション法を開発した。光学放射分光実験とシミュレーションを比較した結果,Si,SiO₂およびC-Fポリマー表面のHラジカルの損失確率は,それぞれ0.5,0.06,0.1であった。損失確率の空間分布および時間依存性を考慮し,いろいろな壁条件下でのSiNのエッチ率を予言できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  水素 ,  *誘電体 ,  *表面反応 ,  計算機シミュレーション ,  密度 ,  ラジカル ,  空間分布
準シソーラス用語： ラジカル密度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• T. Ohchi, S. Kobayashi, M. Fukasawa, K. Kugimiya, T. Kinoshita, T. Takizawa, S. Hamaguchi, Y. Kamide, and T. Tatsumi: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)5324.
• T. Tatsumi: Appl. Surf. Sci.253(2007)6716.
• S. P. Sant, C. T. Nelson, L. J. Overzet, and M. J. Goeckner: J. Vac. Sci. Technol. A 27(2009)631.
• K. Eriguchi and K. Ono: J. Phys. D 41(2008)024002.
• S. Tinck, W. Boullart, and A. Bogaerts: J. Phys. D 41(2008)065207.

タイトルに関連する用語 (8件)： 仮想 ,  光学 ,  放射 ,  分光 ,  誘電体 ,  エッチング ,  プラズマ ,  解析